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HBM拉動(dòng),SK海力士擊敗三星?首次成為DRAM最大供應(yīng)商

2025-04-15 1060

據(jù)分析公司Counterpoint Research的數(shù)據(jù),今年第一季度,SK海力士以36%的市場(chǎng)份額成為DRAM最大的供應(yīng)商,首次超過三星的34%的市場(chǎng)份額。US4esmc

盡管三星電子工藝成本低20%-30%,但HBM轉(zhuǎn)型滯后。2025年三星電子Q1 HBM市場(chǎng)份額不足30%,且12層HBM3E樣品交付延遲,導(dǎo)致DRAM產(chǎn)能被擠占,份額下滑至34%。US4esmc

這是 SK 海力士首次在排名中擊敗競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星,后者幾十年來一直是 DRAM 的最大供應(yīng)商。US4esmc

人工智能拉動(dòng)HBM需求,SK海力士今年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄

SK海力士的崛起與其在高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位息息相關(guān)。HBM由DRAM制成,而DRAM在人工智能應(yīng)用領(lǐng)域的需求量很大。2024年HBM產(chǎn)品在AI領(lǐng)域的營(yíng)收預(yù)計(jì)占全球DRAM市場(chǎng)的20%。US4esmc

SK海力士在開發(fā)客戶所需的HBM方面擊敗了三星,并擁有許多大型科技公司作為其客戶。今年第一季度,SK海力士在HBM市場(chǎng)占有70%的份額。該公司正在向其主要客戶 Nvidia (在AI加速器中使用 HBM)和其他客戶提供最新版本的 HBM3E。SK Hynix 還開發(fā)了后續(xù)產(chǎn)品 HBM4,并已向客戶提供樣品。US4esmc

SK海力士首席執(zhí)行官上個(gè)月表示,該公司今年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄。在與客戶談判于今年上半年結(jié)束后,預(yù)計(jì)2026年的產(chǎn)能也將在年內(nèi)售罄。US4esmc

Counterpoint Research 預(yù)計(jì) SK 海力士將在第二季度繼續(xù)成為 DRAM 的最大供應(yīng)商。US4esmc

SK海力士將增加30%的設(shè)施支出,以應(yīng)對(duì)HBM需求激增

由于高帶寬內(nèi)存(HBM)的需求激增,SK海力士決定將今年的計(jì)劃資本支出提高 30%。US4esmc

消息人士稱,該芯片制造商最初計(jì)劃今年斥資 22 萬億韓元擴(kuò)建其設(shè)施,但這一數(shù)字已升至 29 萬億韓元。US4esmc

該決定最近已最終確定,SK海力士還向供應(yīng)商發(fā)出備忘錄,要求其在10月份之前將設(shè)備交付至忠州的M15X工廠,比最初計(jì)劃提前了兩個(gè)月。SK海力士計(jì)劃在 M15X 生產(chǎn)其最新的 DRAM。那里生產(chǎn)的 DRAM 大部分是 1b DRAM,用作 HBM3E 中的核心芯片。US4esmc

這些舉措均是為了向客戶更快、更多的供應(yīng) HBM 芯片。US4esmc

此外,得益于高帶寬內(nèi)存(HBM)和先進(jìn)封裝技術(shù),去年韓國晶圓廠設(shè)備制造商的利潤(rùn)總體大幅增長(zhǎng)。包括韓美半導(dǎo)體(SK Hynix 的 HBM 生產(chǎn)所用 TC 鍵合機(jī)的唯一供應(yīng)商)的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng)638.15%;Techwing增長(zhǎng)631.25%、Zeus增長(zhǎng)592.96%、Jusung Engineering增長(zhǎng)236.33%、DIT增長(zhǎng)180.23%、Auros Technology增長(zhǎng)154.17%。 US4esmc

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