2024年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)全景洞察：東芯半導(dǎo)體的創(chuàng)新與布局
“利基型DRAM涵蓋DDR3、小容量DDR4及低功耗產(chǎn)品，市場(chǎng)規(guī)模約為100億美元。當(dāng)前，國際主流存儲(chǔ)供應(yīng)商在該領(lǐng)域的市場(chǎng)份額不足5%。隨著這些供應(yīng)商逐步退出利基型市場(chǎng)，國內(nèi)存儲(chǔ)供應(yīng)商迎來了寶貴的發(fā)展機(jī)遇。”
在3月27日的2025中國IC領(lǐng)袖峰會(huì)上，東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊指出，目前超9成存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額被國外存儲(chǔ)廠商占據(jù)，但國產(chǎn)存儲(chǔ)企業(yè)在利基型DRAM市場(chǎng)的商機(jī)正在顯現(xiàn)。此外，他還分享了東芯半導(dǎo)體的6大產(chǎn)品布局，以及從設(shè)計(jì)、流片到封測(cè)均實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化的供應(yīng)鏈。
東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理陳磊
2024年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)全景洞察
2024年對(duì)于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言是值得矚目的年份，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模已突破1,600億美元。根據(jù)TrendForce統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，在全球存儲(chǔ)器領(lǐng)域，2024年前五大供應(yīng)商均為海外企業(yè)，它們占據(jù)了超過90%的市場(chǎng)份額；在國內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)，長江存儲(chǔ)和長鑫存儲(chǔ)是主要的供應(yīng)商。
如果簡單地分類，大致可以把存儲(chǔ)器分為NAND Flash、NOR Flash和DRAM三類。得益于5G、AI、汽車電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展，DRAM、NAND Flash、NOR Flash也各自有不同的技術(shù)演進(jìn)方向。
其中，NAND Flash在智能穿戴領(lǐng)域的發(fā)展迅猛，從早期用于簡單的手環(huán)、手表，到現(xiàn)在用于可安裝APP、表盤顯示豐富的智能手表，其應(yīng)用場(chǎng)景也在隨著終端產(chǎn)品的演進(jìn)而不斷拓展。同時(shí)，SLC NAND Flash在服務(wù)器領(lǐng)域也有應(yīng)用，如陣列卡和BMC等部件正逐步采用SLC NAND。在AI服務(wù)器中，NAND Flash主要用于大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD)。
NOR Flash主要應(yīng)用在長尾市場(chǎng)，其市場(chǎng)營收從20年前的上百億美元，降至如今的約26億美元，整個(gè)市場(chǎng)呈現(xiàn)出長尾的特征。盡管其市場(chǎng)規(guī)模已經(jīng)縮小，但如今NOR Flash在多個(gè)領(lǐng)域仍被廣泛應(yīng)用。
比如，在消費(fèi)電子領(lǐng)域，智能穿戴設(shè)備及家用DVB-C、DVB-S等設(shè)備常用NOR Flash；在汽車電子領(lǐng)域，NOR Flash的應(yīng)用不斷拓展，如汽車攝像頭和ADAS系統(tǒng)等；在通信領(lǐng)域，4G和5G通信設(shè)備需要高容量NOR Flash來滿足數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和程序運(yùn)行需求，基站部署推動(dòng)其在通信領(lǐng)域的應(yīng)用；在人工智能領(lǐng)域，NOR Flash在GPU顯卡中用于存儲(chǔ)固件和驅(qū)動(dòng)程序，確保顯卡的正常運(yùn)行和高性能表現(xiàn)。
DRAM主要分為DDR、LPDDR和GDDR三類，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、移動(dòng)設(shè)備和圖形處理等領(lǐng)域。其中，DDR適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等高性能計(jì)算設(shè)備；LPDDR則針對(duì)移動(dòng)設(shè)備，如手機(jī)和平板電腦，因其低功耗特性而受到青睞；GDDR主要用于圖形處理，滿足顯卡等設(shè)備對(duì)高帶寬的需求。
此外，隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，基于DRAM研發(fā)的HBM(高帶寬存儲(chǔ)器)逐漸嶄露頭角。HBM通過3D堆疊技術(shù)實(shí)現(xiàn)了更高的帶寬和更低的功耗，適用于高通GPU、算力卡等對(duì)數(shù)據(jù)處理能力要求極高的應(yīng)用場(chǎng)景。
2025年國內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)：增長、機(jī)遇與國產(chǎn)化
目前，國內(nèi)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)呈現(xiàn)出持續(xù)增長的趨勢(shì)。根據(jù)中商產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2025年國內(nèi)市場(chǎng)將達(dá)到4,580億人民幣的規(guī)模。
不過，存儲(chǔ)是一個(gè)周期性很強(qiáng)的行業(yè)。在過去幾年間，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了幾個(gè)重要階段：2020年時(shí)，整個(gè)行業(yè)曾陷入供不應(yīng)求的困境；而隨著2021年和2022年的市場(chǎng)擴(kuò)張，到了2023年，供應(yīng)商和大型電子行業(yè)客戶紛紛采取去庫存的措施以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化。
與此同時(shí)，人工智能的迅猛發(fā)展也為存儲(chǔ)芯片帶來了新的機(jī)遇。從云端大規(guī)模算力訓(xùn)練到端側(cè)推理，甚至在算力僅幾十Tops的小型端側(cè)設(shè)備上，存儲(chǔ)芯片的搭配需求也在不斷增加，這將成為未來市場(chǎng)的重要增長點(diǎn)。
但在利基型市場(chǎng)，存儲(chǔ)應(yīng)用正在經(jīng)歷萎縮的情況。在此背景下，國外主流廠商正退出利基型市場(chǎng)，不過卻也給中國本土存儲(chǔ)帶來份額替換的機(jī)遇。
“利基型DRAM涵蓋DDR3、小容量DDR4及低功耗產(chǎn)品，市場(chǎng)規(guī)模約為100億美元。當(dāng)前，國際主流存儲(chǔ)供應(yīng)商在該領(lǐng)域的市場(chǎng)份額不足5%。隨著這些供應(yīng)商逐步退出利基型市場(chǎng)，國內(nèi)存儲(chǔ)供應(yīng)商迎來了寶貴的發(fā)展機(jī)遇。”陳磊分析稱。
整體來看，存儲(chǔ)器行業(yè)的發(fā)展、國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新與國產(chǎn)化趨勢(shì)緊密相連。自2014年政府發(fā)布半導(dǎo)體指導(dǎo)方針文件以來，在過去十年間，國內(nèi)半導(dǎo)體公司在各個(gè)賽道上積極布局，致力于國產(chǎn)替代和構(gòu)建全國產(chǎn)供應(yīng)鏈。政府的支持和穩(wěn)定且旺盛的國內(nèi)市場(chǎng)需求，尤其是消費(fèi)類和人工智能領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求，成為推動(dòng)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新和國產(chǎn)替代的動(dòng)力。
存儲(chǔ)器領(lǐng)域深耕者，多元化布局拓展新增長極
東芯半導(dǎo)體成立于2014年，專注于國產(chǎn)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，是國內(nèi)少數(shù)能夠同時(shí)提供NAND Flash、NOR Flash和DRAM設(shè)計(jì)工藝及產(chǎn)品方案的本土存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司。
在供應(yīng)鏈方面，該公司堅(jiān)持“雙軌并行”的發(fā)展策略，積極拓展境內(nèi)外雙代工模式。根據(jù)陳磊的介紹，東芯半導(dǎo)體的總部和國內(nèi)研發(fā)中心位于上海，同時(shí)在韓國也有設(shè)立研發(fā)中心，并控股一家韓國子公司，以拓展海外市場(chǎng)推廣。
在技術(shù)演進(jìn)方面，截至2025年3月底，東芯半導(dǎo)體在NAND Flash方面已從38nm進(jìn)步到2xnm，初步完成了1xnm設(shè)計(jì)，新產(chǎn)品計(jì)劃在2025年內(nèi)推向市場(chǎng)；對(duì)于NOR Flash，公司從65nm起步，去年量產(chǎn)了55nm產(chǎn)品，現(xiàn)在正在設(shè)計(jì)48nm NOR Flash，與國際大廠處于同一技術(shù)水平；在DRAM產(chǎn)品線上，公司量產(chǎn)的產(chǎn)品基于臺(tái)灣代工廠的工藝，包括63nm及最新的25nm，主要生產(chǎn)DDR3。
在封測(cè)環(huán)節(jié)，東芯半導(dǎo)體與中國上海、中國臺(tái)灣和韓國的合作伙伴共同完成。基于以上各環(huán)節(jié)的生態(tài)合作伙伴布局，東芯半導(dǎo)體具備從設(shè)計(jì)、流片到封裝測(cè)試的全流程國內(nèi)完成能力。目前，該公司已完成全國產(chǎn)化供應(yīng)鏈的整合，并以存儲(chǔ)器為依托，通過產(chǎn)品外延拓展，致力于為客戶提供更多符合國產(chǎn)化半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。
前面有提到利基型市場(chǎng)，東芯半導(dǎo)體基于該市場(chǎng)布局了完整的六大產(chǎn)品線：從SPI NAND Flash、SPI NOR、DDR3、PPI NAND、LPDDR1/2/4X到MCP。“我們的NOR Flash基于ETOX技術(shù)，具有高可靠性，已推出適用于汽車環(huán)境的-40℃至125℃車規(guī)級(jí)產(chǎn)品。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子領(lǐng)域，如智能手環(huán)、手表、共享單車，以及掃碼支付設(shè)備等，融入生活的方方面面。”
陳磊還補(bǔ)充說，在DRAM方面，東芯半導(dǎo)體采用完全正向設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化，展現(xiàn)了強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力和技術(shù)實(shí)力。整體來看，公司的產(chǎn)品主要應(yīng)用于通信、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域。其中，NOR Flash和NAND Flash產(chǎn)品已達(dá)到車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，并在車廠的5G Box及V2X中得到應(yīng)用。“公司對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量高度重視，從研發(fā)到生產(chǎn)測(cè)試再到技術(shù)支持，全部由自身完成，確保質(zhì)量這一生命線。”
在演講的最后，陳磊還介紹了公司2024年在業(yè)務(wù)上的最新拓展，包括成立了全資子公司億芯通感，專注于Wi-Fi 7產(chǎn)品的研發(fā)；還投資了國內(nèi)GPU廠家礪算科技，進(jìn)一步豐富了公司的產(chǎn)品線和技術(shù)儲(chǔ)備。
以上這些舉措，彰顯了東芯半導(dǎo)體在拓展業(yè)務(wù)領(lǐng)域、豐富產(chǎn)品線和增強(qiáng)技術(shù)實(shí)力方面的堅(jiān)定決心和戰(zhàn)略布局，有助于公司更好地滿足市場(chǎng)需求，提升綜合競爭力。
