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R6004ENJTL

¥10.30
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 4A LPTS

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs980mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)40W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLPTS
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產品 R6004ENJTL

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