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R6018JNJGTL

¥30.67
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 18A LPTS

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs286mOhm @ 9A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id7V @ 4.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 15 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1300 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)220W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageLPTS
Package/ CaseTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 R6018JNJGTL

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