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SCTWA35N65G2VAG

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單 FET、MOSFET

SICFET N-CH 650V 45A TO247

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologySiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 20 V
Vgs (Max)+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)208W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247 Long Leads
Package/ CaseTO-247-3

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 SCTWA35N65G2VAG

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