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RW1E015RPT2R

¥3.10
單 FET、MOSFET

MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
FET TypeP-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2 nC @ 5 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)400mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package6-WEMT
Package/ Case6-SMD, Flat Leads

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 RW1E015RPT2R

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