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CSD87503Q3ET

¥12.38
FET、MOSFET 陣列

30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Source
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1020pF @ 15V
Power - Max15.6W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerVDFN
Supplier Device Package8-VSON (3.3x3.3)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD87503Q3ET

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