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BSM400D12P2G003

¥16416.00
FET、MOSFET 陣列

SILICON CARBIDE POWER MODULE. B

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologySilicon Carbide (SiC)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 85mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds38000pF @ 10V
Power - Max2450W (Tc)
Operating Temperature-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type-
Package/ CaseModule
Supplier Device PackageModule

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 BSM400D12P2G003

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