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SH68N65DM6AG

¥255.31
FET、MOSFET 陣列

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs116nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5900pF @ 100V
Power - Max379W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case9-PowerSMD
Supplier Device Package9-ACEPACK SMIT

新聞資訊

STMicroelectronics FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SH68N65DM6AG

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