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CSD86360Q5D

¥19.80
FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 25V 50A 8SON

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2060pF @ 12.5
Power - Max13W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerLDFN
Supplier Device Package8-LSON (5x6)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD86360Q5D

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