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QS6J11TR

¥4.54
FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 6V
Power - Max600mW
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device PackageTSMT6 (SC-95)

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 QS6J11TR

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