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HP8K22TB

¥9.79
FET、MOSFET 陣列

30V NCH+NCH MID POWER MOSFET

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Technology-
Configuration2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A, 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1080pF @ 15V
Power - Max25W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-HSOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 HP8K22TB

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