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SH8KB7TB1

¥12.17
FET、MOSFET 陣列

40V 13.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, PO

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.4mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570pF @ 20V
Power - Max2W (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SH8KB7TB1

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