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CSD87312Q3E

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 N-Channel (Dual) Common Source
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A
Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 7A , 8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1250pF @ 15V
Power - Max2.5W
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-PowerTDFN
Supplier Device Package8-VSON (3.3x3.3)

新聞資訊

Texas Instruments FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 CSD87312Q3E

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