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SP8J66TB1

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC

參數(shù)名稱(chēng)參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Configuration2 P-Channel (Dual)
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max-
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SP8J66TB1

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