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SP8M51TB1

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FET、MOSFET 陣列

MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
ConfigurationN and P-Channel
FET Feature-
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A, 2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
Power - Max2W
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package/ Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package8-SOP

新聞資訊

ROHM Semiconductor FET、MOSFET 陣列 產(chǎn)品 SP8M51TB1

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