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DTD123YCHZGT116

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參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce56 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition200 MHz
Power - Max200 mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSST3

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個預(yù)偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTD123YCHZGT116

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