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DTB113ESTP

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單個預偏置雙極晶體管

TRANS PREBIAS PNP 300MW SPT

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusObsolete
Transistor TypePNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50 V
Resistor - Base (R1)1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)1 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce33 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA
Frequency - Transition200 MHz
Power - Max300 mW
Mounting TypeThrough Hole
Package/ CaseSC-72 Formed Leads
Supplier Device PackageSPT

新聞資訊

ROHM Semiconductor 單個預偏置雙極晶體管 產(chǎn)品 DTB113ESTP

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