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EMF4T2R

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TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 12V 10

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusActive
Transistor Type1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Current - Collector (Ic) (Max)100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V, 12V
Resistor - Base (R1)2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)2.2kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 5V/ 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic300mV @ 500μA, 10mA/ 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max)500nA, 100nA (ICBO)
Frequency - Transition250MHz, 260MHz
Power - Max150mW
Mounting TypeSurface Mount
Package/ CaseSOT-563, SOT-666
Supplier Device PackageEMT6

新聞資訊

ROHM Semiconductor 雙極晶體管陣列,預(yù)偏置 產(chǎn)品 EMF4T2R

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