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STB4NK60Z-1

¥2.97
單 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

參數(shù)名稱參數(shù)值
Product StatusNot For New Designs
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)70W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageI2PAK
Package/ CaseTO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

新聞資訊

STMicroelectronics 單 FET、MOSFET 產(chǎn)品 STB4NK60Z-1

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